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射频同轴连接器功率容量的因素


​影响射频同轴连接器功率容量方面的每个因素。

射频同轴连接器​接头规格:对同信号频率射频信号,尺寸大的接头功率承受大。例如接头针孔规格关系到连接器的电流容量,会直接关系到功率。在各类常见的射频同轴接头中,7/16(DIN)、4.3-10、N型接头规格也较大,相对应的针孔规格也较大,一般N型接头功率承受大约为SMA的3-4倍。加上N头更常用。

工作频率:射频同轴接头功率承受会随着信号频率变高而降低,传输信号信号频率变化导致消耗和电压驻波比变化,从而影响到传输功率容量,还有趋肤效果等。例如一般的SMA接头,在2GHz的功率承受大约为500W,在18GHz下的平均功率承受没到100W。频率高于18GHz的衰减器、负载等无源器件,平均功率承受大部分都在100W以内。针对毫米波的频段,像1.85mm67GHz固定衰减器在平均功率承受10W以内,1.85mm67GHz负载平均功率承受在22W以内。2.92mm的衰减器和负载可以选择的就比较多,平均功率承受最高可达100W。


射频同轴连接器功率容量的因素

射频同轴连接器功率容量的因素​


电压驻波比:RF连接器在设计时明确了一定的电长度,在相同长度的线路中,阻抗和负载阻抗不相等时,从负载端有一部分电压和电流,被反射而返回电源侧的波,称之为反射波;从电原到负载的电压和电流称之为入射波。入射波和反射波的合成波,被称作驻波。驻波的电压最大值和最小值比值,称之为电压驻波比(亦可成为驻波系数)。反射波占用通道容量空间,致使传输功率容量降低。

接入损耗:插入损耗(IL)就是指因为RF连接器的引入导致线路上功率的消耗。看作是输出功率与输入功率比值。使连接器插损增大的因素很多,主要有:阻抗的不一致、装配精度偏差、配合端面空隙、轴线歪斜、横向偏移、偏心、加工精度及电镀工艺等所导致。因为消耗的存在使输入与输出功率之间存在差别,也会影响承受功率。

海拔气压:气压变化导致气体段介电常数发生改变,且低压时气体易电离形成电晕。海拨高度越高,气压越低,功率容量越小。

接触电阻:RF连接器的接触电阻就是指连接器插合时内外导体接触点的电阻,一般在毫欧级,数值应尽量小。它主要考核接触件的机械性能,测量时应去除体电阻、
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